砷化銦是由銦和砷構成的Ⅲ一V族化合物半導體材料。常溫呈銀灰色固體，具有閃鋅礦型的晶體結構，晶格常數為0.6058nm，密度為5.66g/cm(固態)、5.90g/cm(熔點時液態)。能帶結構為直接躍遷
一種重要的半導體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構，晶格常數5.65×10-10m，熔點1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進入實用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3
人工合成的化合物半導體材料。 外觀：橙紅色透明晶體。 磷化稼是一種由n從族元素鑲(Ga)與vA族元素磷(P)人工合成的m- V族化合物半導體材料。
一、硅外延的定義 硅外延工藝實際上是一種薄層的單晶生長技術，它是在一定的條件下，在硅單晶的襯底片上，沿單晶的結晶方向生長一層具有一定導電類型，電阻率、厚度、晶格結構與體單晶一致的新單晶層。 二、硅外延
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單晶硅片：硅的單晶體，是一種具有基本完整的點陣結構的晶體。不同的方向具有不同的性質，是一種良好的半導材料。純度要求達到99.9999%，甚至達到99.9999999%以上。用于制造半導體器件、太陽能電
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單壁高純碳納米管 產品基本參數 純度：>90% 外徑：1-2nm [OD=Outer Diameter] 內徑：0.8-1.6nm [ID=Inner D
主要參數： 產品 純度 粒度 比表面積 松裝密度 外觀顏色 納米Ag 99.9% 50nm 5㎡/g 0.4g/cm3 灰色 主要用途 導電
主要參數： 產品 純度 粒度 比表面積 松裝密度 外觀顏色 納米W 99.9% 50nm 5㎡/g 2.5g/cm3 紫色
主要用途 ★ 金屬和非金屬的表面導電涂層處理 納米銅粉體有高活化表面，在無氧 條件下可在低于粉體熔點的溫度實施涂層。應用于微電子器件的生產。 ★ 催化劑 銅及其合金納米粉體用作催化劑，
主要參數： 產品 純度 粒度 比表面積 松裝密度 外觀顏色 納米Fe 99.9% 50nm 9㎡/g 0.35g/cm3 黑色 主要用途 納
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